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晶盛機電:12英寸碳化硅襯底厚度均勻性≤1μm關鍵技術突破

每日經濟新聞 2026-03-03 17:08:48

每經AI快訊,3月3日,晶盛機電在投資者關系活動中表示,依托自主搭建的12英寸中試線,浙江晶瑞SuperSiC成功實現12英寸碳化硅襯底厚度均勻性(TTV)≤1μm的關鍵技術突破,這是繼建成行業首條12英寸碳化硅中試線后取得的重大成果。

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