每經(jīng)記者｜朱成祥    每經(jīng)編輯｜黃博文    

近日，閃存龍頭閃迪宣布11月大幅調(diào)漲NAND閃存合約價格，漲幅高達50%。9月以來，存儲芯片價格已連續(xù)上漲。業(yè)內(nèi)驚呼，存儲芯片迎來罕見漲價潮，可謂“超級周期”。

存儲芯片主要分為DRAM（內(nèi)存）和NAND（閃存）。其中，三星、SK集團在這兩大領(lǐng)域均位列前茅。

為何這波存儲芯片漲價如此迅猛？《每日經(jīng)濟新聞》記者在進博會現(xiàn)場采訪了三星和SK集團的工作人員。其中，三星工作人員表示：“主要是AI（人工智能）需求太旺盛，導(dǎo)致大量消費級存儲芯片產(chǎn)能被調(diào)配到生產(chǎn)企業(yè)級存儲芯片。”

AI需求旺盛，產(chǎn)能向企業(yè)級遷移

根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，在2025年第二季度的DRAM營收排名中，SK海力士（SK集團旗下）排名第一，市場份額為38.7%；三星排名第二，市場份額為32.7%，二者合計份額超過70%。

NAND營收排名中，三星排名第一，市場份額為32.9%；SK集團（包括SK海力士和Solidigm）排名第二，市場份額為21.1%，二者合計份額超過50%。

對于此類存儲芯片為何出現(xiàn)罕見的漲價潮，三星工作人員認為：“存儲（芯片）漲價，主要是產(chǎn)能之間的調(diào)整。DRAM方面，DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）開始減產(chǎn)，部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至服務(wù)器（存儲）相關(guān)業(yè)務(wù)。不光是我們調(diào)整，其他家都在調(diào)整，因此造成了短期的缺口。”

三星工作人員表示，DDR4和DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）采用的是共享的工藝。簡而言之，該產(chǎn)線既可以做DDR4，也可以做DDR5。由于AI需求超出預(yù)期，服務(wù)器存儲利潤率也更高，所以產(chǎn)能向該領(lǐng)域傾斜。

SK集團為全球HBM（高帶寬內(nèi)存）主要供應(yīng)商。據(jù)其工作人員介紹，公司HBM兩年的產(chǎn)能都被預(yù)定了。

那么，NAND市場為何也火熱起來呢？上述SK集團工作人員則表示：“主要是數(shù)據(jù)中心的需求。由于AI的爆火，公司對ESSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）的需求非常大。”

此前，AI的需求主要帶動HBM這類芯片，這是數(shù)據(jù)臨時存放的場所，GPU（圖形處理器）等算力芯片中的信息需要與HBM互相交換。而SSD（固態(tài)硬盤）則是數(shù)據(jù)長期保存所在。

SK集團工作人員介紹稱：“最終數(shù)據(jù)必須保存在ESSD，而HBM只是臨時數(shù)據(jù)交換。”

值得一提的是，長期存儲的產(chǎn)品，除了SSD外，還有HDD（機械硬盤）。SSD又如何超越HDD，成為數(shù)據(jù)中心的新寵？

集邦咨詢認為，AI推理應(yīng)用快速提升實時存取、高速處理海量數(shù)據(jù)的需求，促使機械硬盤與固態(tài)硬盤供應(yīng)商積極擴大供給大容量存儲產(chǎn)品。由于HDD市場正面臨巨大供應(yīng)缺口，激勵NAND Flash業(yè)者加速技術(shù)轉(zhuǎn)進，投入122TB（太字節(jié)），甚至245TB等超大容量Nearline（近線）SSD的生產(chǎn)，原先對未來需求不確定的狀況獲得緩解。

雖然SSD價格更加昂貴，但對數(shù)據(jù)中心而言，SSD延遲更低，功耗更低。據(jù)集邦咨詢，對于大型數(shù)據(jù)中心而言，改用SSD所節(jié)省的電費、冷卻成本以及機柜空間，長期足以抵消其較高的初始購置成本。

國內(nèi)哪些產(chǎn)業(yè)鏈受益？

可以看出，三星和SK集團兩大韓系廠商在存儲市場占據(jù)絕對的主導(dǎo)地位。國內(nèi)廠商方面，DRAM生產(chǎn)商主要為長鑫存儲，而NAND生產(chǎn)商主要為長江存儲。

對于國內(nèi)產(chǎn)能是否可以填補三星、SK集團產(chǎn)能遷移后的空缺，三星工作人員表示：“會的，但是沒那么快。需要買設(shè)備，（建好后）還需要調(diào)試。”

關(guān)于國內(nèi)資本市場火熱的存儲廠商，該工作人員認為：“江波龍、佰維存儲這些是封測廠，買別人的芯片做封裝、做模組。這些廠商沒辦法控制自己的產(chǎn)出，（存儲芯片原廠）給的多，它們就可以多賣，給的少就只能少賣，它們是被動的。”

針對此波存儲芯片漲價對利基市場有何影響這一問題，比如Nor Flash（一種非易失性閃存技術(shù)）和SLC NAND（單層單元閃存），該工作人員回復(fù)記者稱：“這些容量偏低，且工藝區(qū)別也比較大，工藝更加成熟一點，產(chǎn)能不會出現(xiàn)擠兌的。”

對于存儲芯片漲價能夠持續(xù)多久，上述三星工作人員認為，至少持續(xù)到2026年上半年。

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