當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)雙重驅(qū)動(dòng)力：一方面，AI算力需求從訓(xùn)練側(cè)向推理側(cè)延伸，國(guó)產(chǎn)AI芯片市場(chǎng)進(jìn)入爆發(fā)期，先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張超預(yù)期，直接拉動(dòng)上游設(shè)備需求；另一方面，存儲(chǔ)芯片進(jìn)入超級(jí)周期，AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)需求橫跨所有領(lǐng)域，DRAM價(jià)格持續(xù)上行，存儲(chǔ)原廠(chǎng)資本開(kāi)支提升，擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期催化設(shè)備訂單。在國(guó)產(chǎn)算力崛起、存儲(chǔ)周期上行、設(shè)備國(guó)產(chǎn)化加速三重共振下，半導(dǎo)體設(shè)備板塊迎來(lái)中長(zhǎng)期配置窗口。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF國(guó)泰（159516）午后大漲2%，聚焦刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測(cè)等核心設(shè)備環(huán)節(jié)，覆蓋半導(dǎo)體設(shè)備與材料龍頭，是把握本輪半導(dǎo)體上行周期的核心工具。

國(guó)產(chǎn)算力崛起，先進(jìn)制程擴(kuò)張超預(yù)期

中國(guó)AI芯片市場(chǎng)進(jìn)入爆發(fā)期，本土份額從2022年不足15%提升至2025H1接近35%，先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張超預(yù)期，直接拉動(dòng)上游半導(dǎo)體設(shè)備需求。

國(guó)產(chǎn)AI芯片出貨量高增：申萬(wàn)宏源指出，借助政策支持與強(qiáng)勁的本地需求，核心企業(yè)憑借自主研發(fā)的產(chǎn)品矩陣，在海外產(chǎn)品出現(xiàn)真空期間逐步填補(bǔ)算力供給缺口。

先進(jìn)制程供給擴(kuò)張超預(yù)期：根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2026年中國(guó)本土先進(jìn)制程供給擴(kuò)張進(jìn)度有望超預(yù)期，其中7nm/6nm工藝平臺(tái)份額預(yù)計(jì)擴(kuò)張至接近20%。大同證券分析，隨著AI應(yīng)用從訓(xùn)練側(cè)向推理側(cè)延伸，市場(chǎng)對(duì)算力硬件的低延遲、高吞吐能力提出更高要求，GPU等核心計(jì)算芯片正加速向?qū)Ｓ没軜?gòu)演進(jìn)，推動(dòng)服務(wù)器主板、PCB及光互連等環(huán)節(jié)的技術(shù)升級(jí)與價(jià)值重構(gòu)。

先進(jìn)封裝產(chǎn)能需求激增：申萬(wàn)宏源強(qiáng)調(diào)，高算力芯片中先進(jìn)封裝成本占比已高于20%。以英偉達(dá)B200為例，CoWoS及配套測(cè)試環(huán)節(jié)價(jià)值量占比達(dá)21%，博通TPU v6該環(huán)節(jié)占比達(dá)25%。未來(lái)隨著前道良率提升，KGD數(shù)量提升，需要更多封裝產(chǎn)能。國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝廠(chǎng)商持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，直接拉動(dòng)后道設(shè)備需求。

存儲(chǔ)進(jìn)入超級(jí)周期，擴(kuò)產(chǎn)需求外溢設(shè)備端

AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)需求橫跨所有領(lǐng)域，2026年服務(wù)器成為存儲(chǔ)占比第一的下游應(yīng)用。新增產(chǎn)能有限，存儲(chǔ)價(jià)格維持高位，存儲(chǔ)原廠(chǎng)資本開(kāi)支提升，直接催化上游設(shè)備訂單。

存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上行：大同證券數(shù)據(jù)顯示，2025年6月以來(lái)DRAM價(jià)格呈現(xiàn)強(qiáng)勁上升趨勢(shì)，直接反映AI服務(wù)器、新一代PC和數(shù)據(jù)中心對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求。申萬(wàn)宏源分析，預(yù)計(jì)全球DRAM實(shí)際產(chǎn)能從2025年底約196.6萬(wàn)片提升至2026年底約213.6萬(wàn)片，增幅有限；NAND Flash產(chǎn)能甚至略有下降，存儲(chǔ)價(jià)格有望維持高位。

存儲(chǔ)原廠(chǎng)資本開(kāi)支加碼：應(yīng)用材料與美光、SK海力士達(dá)成合作，依托EPIC中心加速開(kāi)發(fā)下一代存儲(chǔ)技術(shù)。三星與英偉達(dá)合作開(kāi)發(fā)鐵電NAND閃存。申萬(wàn)宏源指出，三星Line15/P4L、海力士M16/M15x以及美光OMT工廠(chǎng)均有產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃，存儲(chǔ)原廠(chǎng)資本開(kāi)支提升直接催化設(shè)備端需求。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)進(jìn)軍第一梯隊(duì)：長(zhǎng)鑫科技在合肥、北京共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠(chǎng)，已成為全球第四、中國(guó)第一的DRAM廠(chǎng)商，DDR5最高速率達(dá)8000Mbps，LPDDR5X最高速率10667Mbps，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)Xtacking4.0 260L產(chǎn)品迭代。長(zhǎng)鑫科技上市在即，募資295億元投向三大存儲(chǔ)項(xiàng)目，將為設(shè)備廠(chǎng)商帶來(lái)確定性訂單。

設(shè)備國(guó)產(chǎn)化加速，資本開(kāi)支進(jìn)入高峰期

中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)占全球比重約三成，本土設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率已從2024年的25%提升至2025年的35%，設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)入加速期。

資本開(kāi)支強(qiáng)度持續(xù)：根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)至2026年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將繼續(xù)領(lǐng)跑所有地區(qū)，金額占全球比重約三成。申萬(wàn)宏源指出，全環(huán)節(jié)進(jìn)入資本開(kāi)支高峰期，本土設(shè)備廠(chǎng)商持續(xù)受益高強(qiáng)度資本開(kāi)支。北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技等龍頭在刻蝕、薄膜沉積等領(lǐng)域持續(xù)突破。

國(guó)產(chǎn)化率加速提升：根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)公布數(shù)據(jù)，中國(guó)大陸使用本土半導(dǎo)體制造設(shè)備的占比已從2024年的25%提升至2025年的35%。設(shè)備國(guó)產(chǎn)化已從“政策驅(qū)動(dòng)”轉(zhuǎn)向“性?xún)r(jià)比驅(qū)動(dòng)”，在成熟制程領(lǐng)域已具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，在先進(jìn)制程領(lǐng)域持續(xù)突破。

大基金三期有望成為增量：申萬(wàn)宏源分析，大基金一期、二期對(duì)制造環(huán)節(jié)有較大側(cè)重，投資了中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等核心企業(yè)。截至2026年3月，大基金三期尚未大規(guī)模落地，2026年有望成為資本開(kāi)支增量，為設(shè)備廠(chǎng)商帶來(lái)新一輪訂單周期。

投資建議：半導(dǎo)體設(shè)備ETF國(guó)泰（159516）聚焦上游核心環(huán)節(jié)

半導(dǎo)體設(shè)備是晶圓廠(chǎng)的“鏟子”，在國(guó)產(chǎn)算力崛起、存儲(chǔ)周期上行、設(shè)備國(guó)產(chǎn)化加速三重共振下，設(shè)備板塊有望持續(xù)受益于高強(qiáng)度資本開(kāi)支。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF國(guó)泰（159516）跟蹤中證半導(dǎo)體材料與設(shè)備指數(shù)，成分股中設(shè)備占比超60%，材料占比超20%，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測(cè)等核心環(huán)節(jié)，是目前市場(chǎng)規(guī)模最大、流動(dòng)性最佳的半導(dǎo)體設(shè)備主題ETF。

與覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的芯片ETF不同，半導(dǎo)體設(shè)備ETF更聚焦上游“賣(mài)鏟人”，在資本開(kāi)支周期中彈性更大。從估值角度看，設(shè)備板塊經(jīng)過(guò)調(diào)整，估值分位處于歷史中低水平，相比漲幅較大的芯片設(shè)計(jì)類(lèi)指數(shù)，安全邊際更優(yōu)，且未來(lái)業(yè)績(jī)能見(jiàn)度高。對(duì)于投資者而言，通過(guò)半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）進(jìn)行布局，既可把握國(guó)產(chǎn)算力崛起與存儲(chǔ)周期上行的雙重機(jī)遇，也可作為長(zhǎng)期配置半導(dǎo)體自主可控的核心品種。

風(fēng)險(xiǎn)提示：提及個(gè)股僅用于行業(yè)事件分析，不構(gòu)成任何個(gè)股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來(lái)表現(xiàn)，亦不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績(jī)的承諾或保證。觀(guān)點(diǎn)可能隨市場(chǎng)環(huán)境變化而調(diào)整，不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風(fēng)險(xiǎn)收益特征各不相同，敬請(qǐng)投資者仔細(xì)閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)及收益分配原則，選擇與自身風(fēng)險(xiǎn)承受能力匹配的產(chǎn)品，謹(jǐn)慎投資。