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新型高性能二維半導體材料研發(fā)獲突破

2026-04-09 11:12:20

每經(jīng)AI快訊,近日,國防科技大學和中國科學院金屬研究所聯(lián)合研究團隊在新型高性能二維半導體晶圓級生長和可控摻雜領(lǐng)域取得重要突破,有望為后摩爾時代自主可控芯片技術(shù)提供關(guān)鍵材料和器件支撐。相關(guān)成果近日在線發(fā)表于國際頂級期刊《國家科學評論》。(科技日報)

 

責編 張喜威

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