截至2026年3月25日09:41，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏（588170）上漲3.08%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）上漲3.84%。

熱門個(gè)股方面，歐萊新材上漲11.10%，新益昌上漲6.43%，天岳先進(jìn)上漲5.75%，芯源微，拓荊科技等個(gè)股跟漲。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏盤中換手1.84%，成交1.54億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手1.02%，成交2573.44萬元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏近3月規(guī)模增長45.16億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長，新增規(guī)模領(lǐng)先同類；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)24.50億元。

資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏最新資金凈流出7699.25萬元。拉長時(shí)間看，近5個(gè)交易日內(nèi)有3日資金凈流入，合計(jì)”吸金”8630.32萬元，日均凈流入達(dá)1726.06萬元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出4519.81萬元。拉長時(shí)間看，近17個(gè)交易日內(nèi)有10日資金凈流入，合計(jì)“吸金”2.16億元，日均凈流入達(dá)1271.63萬元。

消息面上，Wedbush最新報(bào)告指出，在需求激增與供應(yīng)緊張的雙重推動(dòng)下，部分存儲產(chǎn)品價(jià)格有望出現(xiàn)超過100%的漲幅。Wedbush分析師在周一發(fā)布的報(bào)告中表示，DRAM與NAND存儲價(jià)格正快速上漲，預(yù)計(jì)2025年第四季度基礎(chǔ)上，2026年上半年價(jià)格漲幅將達(dá)到“三位數(shù)”水平。其中，DRAM價(jià)格漲幅有望達(dá)到130%至150%，NAND漲幅也接近這一水平，顯示出存儲市場正進(jìn)入新一輪強(qiáng)勁周期。

申萬宏源認(rèn)為，存儲進(jìn)入超級周期，國產(chǎn)廠商嶄露頭角。AI驅(qū)動(dòng)的存儲需求橫跨所有領(lǐng)域，2026年服務(wù)器成為存儲占比第一的下游應(yīng)用。年內(nèi)新增產(chǎn)能有限，存儲價(jià)格繼續(xù)維持高位。在存儲超級周期中，國產(chǎn)存儲進(jìn)軍第一梯隊(duì)，長鑫科技上市有望成為自主可控的里程碑。除大宗存儲外，專用型存儲領(lǐng)域因存儲原廠淡出供應(yīng)帶來產(chǎn)業(yè)重組機(jī)會。

相關(guān)ETF：科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進(jìn)封裝含量在全市場中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價(jià)潮對“賣鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。