12月4日半導體設備ETF、科創芯片ETF強勢。半導體設備ETF在上午震蕩走高，下午維持橫盤，收漲2.4%。科創芯片ETF則在上午回落之后震蕩走高，收漲2.4%。 資料來源：wind 據摩爾線程披露的上市公告書，公司將于12月5日上市。公司發行后總股本為47,002.8217萬股，其中本次新股上市初期的無限售流通股數量為2,938.2386萬股，占本次發行后總股本的比例為6.25%。本次發行價格114.28元/股對應的發行人2024年攤薄后靜態市銷率為122.51倍，高于同行業可比公司2024年靜態市銷率平均水平，存在未來發行人股價下跌給投資者帶來損失的風險。發行人和保薦人（主承銷商）提請投資者關注投資風險，審慎研判發行定價的合理性，理性做出投資。 數日前的2025年11月23日，長鑫存儲正式發布8000Mbps DDR5芯片及七大模組產品。相關技術突破，表明了產業鏈進展的迅速。今年下半年以來，由于AI需求爆發導致產能擠占，存儲產品持續漲價。從下游不用應用市場看，存儲芯片或在Q4維持雙位數漲幅。同時，展望明年，GPU加速釋放，AI端側或也有改善，存儲的產能緊缺可能持續。 資料來源： CFM閃存市場，興業證券 也部分因為存儲漲價，作為中國存儲芯片的龍頭廠商，市場對長鑫存儲的上市也十分關注。長鑫在早些時候公布了上市公告書之后，目前市場預期或將于明年上市，近期可能公布招股書。 從ETF的角度看，跟存儲相關性最強的產品或是半導體設備ETF。因為目前芯片類ETF中含有存儲權重多數為10-20%，含量較低，無法充分跟隨存儲板塊行情。而在目前Dram、Nand走向空間化的過程中，所需要的刻蝕和薄膜沉積工序越來越多。且刻蝕和薄膜沉積均為中國廠商的強項。因此，無論是存儲持續漲價，還是兩存上市都有望提振明年存儲擴產預期。而在存儲擴產的過程中，國內半導體設備廠商則有望斬獲大量訂單，包括薄膜沉積、刻蝕、量檢測等環節。 資料來源：拓荊科技 綜上，當前半導體板塊仍為人工智能驅動，但結構之間有所區別。從國產算力的角度而言，中國是全球第二大計算市場，國產GPU空間廣大，且有望帶動存儲等器件需求，有興趣的投資者可以關注科創芯片ETF（589100）。更深一步，消費電子、GPU需求帶來的先進制程擴產及存儲擴產等催化，或鑄就半導體設備中長期景氣，這條線可關注半導體設備ETF（159516）。 風險提示： 投資人應當充分了解基金定期定額投資和零存整取等儲蓄方式的區別。定期定額投資是引導投資人進行長期投資、平均投資成本的一種簡單易行的投資方式。但是定期定額投資并不能規避基金投資所固有的風險，不能保證投資人獲得收益，也不是替代儲蓄的等效理財方式。 無論是股票ETF/LOF基金，都是屬于較高預期風險和預期收益的證券投資基金品種，其預期收益及預期風險水平高于混合型基金、債券型基金和貨幣市場基金。 基金資產投資于科創板和創業板股票，會面臨因投資標的、市場制度以及交易規則等差異帶來的特有風險，提請投資者注意。 板塊/基金短期漲跌幅列示僅作為文章分析觀點之輔助材料，僅供參考，不構成對基金業績的保證。 文中提及個股短期業績僅供參考，不構成股票推薦，也不構成對基金業績的預測和保證。 以上觀點僅供參考，不構成投資建議或承諾。如需購買相關基金產品，請您關注投資者適當性管理相關規定、提前做好風險測評，并根據您自身的風險承受能力購買與之相匹配的風險等級的基金產品。基金有風險，投資需謹慎。