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意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議

每日經濟新聞 2025-04-01 14:07:09

每經AI快訊,意法半導體(簡稱ST)與英諾賽科共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議。雙方將充分發揮各自優勢,提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。根據協議,雙方將合作推進氮化鎵功率技術的聯合開發計劃,并在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域得到廣泛應用的光明前景。

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