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中國工程院院士丁榮軍:第三代半導體技術未來十年復合增速將超20%

2023-06-29 11:34:48

每經AI快訊,6月29日,在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網聯汽車創新生態大會上,中國工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導體技術(包括Si-IGBT與SiC二極管相結合的技術)已經開始獲得應用,并具有很大的性能及市場潛力,將在未來十年獲得高達年復合20%以上的快速增長。(上證報)

責編 張喜威

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