每經AI快訊，有投資者在投資者互動平臺提問：請問兩個問題:一是貴公司計劃建設的是六英寸晶圓及器件封測生產線，為什么不是目前業界比較多的八英寸或者12英寸；二是貴公司在去年的年報中就已經披露了三代半導體器件的研發，目前到底研發進度如何，是否和計劃相比，已經嚴重滯后，同時在生產上，對未來的三代半導體生產是否有考慮。謝謝

捷捷微電（300623.SZ）12月16日在投資者互動平臺表示，由公司全資子公司捷捷半導體承建的“功率半導體6英寸晶圓及器件封測生產線建設項目”是我們的重點項目之一。理論上講芯片的版面越大效率越高，就功率半導體器件而言，要結合市場份額與產業趨勢和投資規模、產業周期、生產工藝等前置條件與之相匹配。即功率半導體器件需要不同的芯片產線、工藝和封測能力相關聯（IDM具備核心競爭力），并對應不同的市場細分領域和市場份額。從效率而言，芯片產線版面與市場份額以及效率與邊際等是正相關的。目前國內的晶閘管和部分二極管、防護器件等仍以4寸線為主流（國外5、6寸為主流）；平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片，低電容、低殘壓等保護器件芯片和部分MOSFET等以6寸線為主流；中高端MOSFET、IGBT等以8寸片線為主流，還有部分IGBT需要12寸線支持（國外為主）等。公司MOS系列產品目前采用的是Fabless+封測的運營模式，6英寸與8英寸芯片是流片的。 公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，截止至2021年第三季度末，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關實用新型專利4件，此外，公司還有3個發明專利尚在申請受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產品仍在持續研究推進過程中，尚未進入量產階段，后續進展情況請關注公司公告。

(記者 曾健輝)

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